RAM

データの読み書きが可能な半導体メモリ。主記憶装置として使用され、電源を切るとデータが消える揮発性メモリである。DRAMとSRAMに大別される。

読み書き可能な揮発性メモリ。電源を切るとデータが消える。DRAMとSRAMの2種類があり、主記憶装置として使用される。任意のアドレスに直接アクセスできる。

データの読み書きが自由に行える揮発性メモリ。DRAM（大容量・低コスト、要リフレッシュ）とSRAM（高速・低消費電力、高コスト）に大別される。組込みシステムではワークメモリやスタック領域として使用される。

読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM（工場で書込み）、PROM（1回だけ書込み可能）、EPROM（紫外線で消去可能）、EEPROM（電気的に消去可能）がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

CPUと主記憶の速度差を埋めるための高速小容量メモリ。参照の局所性（時間的・空間的局所性）を利用してアクセス頻度の高いデータを保持する。L1、L2、L3の階層構造を持ち、ヒット率が性能を大きく左右する。

キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。

キャッシュにのみ書込みを行い、キャッシュラインが追い出される際に主記憶に書き戻す方式。書込み速度が高速だが、キャッシュと主記憶の不一致が生じるため、ダーティビットで管理する。マルチプロセッサではキャッシュコヒーレンシが課題。

読み出し専用の半導体メモリ。電源を切ってもデータが保持される不揮発性メモリであり、BIOSなどの基本的なプログラムの格納に利用される。