EEPROM

Electrically Erasable Programmable ROM

いーいーぴーろむ

電気的にバイト単位でデータの消去・書き換えが可能な不揮発性メモリ。書き換え回数に制限があるが、設定値やキャリブレーションデータなど少量のデータ保存に適する。フラッシュメモリより書き換え単位が小さい。

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電源を切ってもデータが保持される不揮発性メモリ。マスクROM、PROM、EPROM、EEPROMなどの種類がある。組込みシステムではプログラムコードや固定データの格納に使用される。

電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリ。NOR型（ランダムアクセス可能、プログラム格納向き）とNAND型（大容量、データストレージ向き）がある。組込みシステムのファームウェア格納やデータ保存に広く使用される。

データの読み書きが自由に行える揮発性メモリ。DRAM（大容量・低コスト、要リフレッシュ）とSRAM（高速・低消費電力、高コスト）に大別される。組込みシステムではワークメモリやスタック領域として使用される。

フリップフロップ回路でデータを保持する揮発性メモリ。リフレッシュ不要で高速アクセスが可能だが、DRAMに比べてビット単価が高い。キャッシュメモリやマイコンの内蔵RAMに使用される。

コンデンサに電荷を蓄えてデータを保持する揮発性メモリ。定期的なリフレッシュが必要だが、SRAMに比べて高集積・低コストで大容量化が可能。メインメモリとして使用され、DDR SDRAM系が主流。

CPUとメインメモリの間に配置される高速な小容量メモリ。頻繁にアクセスされるデータやプログラムを保持し、メモリアクセスの高速化を図る。組込みシステムではキャッシュのヒット率やフラッシュ制御がリアルタイム性能に影響する。