フラッシュメモリ

電気的にデータの読み書きと消去が可能な不揮発性メモリ。USBメモリやSDカード、SSDなどに利用され、小型・軽量・低消費電力という特徴がある。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリ。NOR型（ランダムアクセス可能、プログラム格納向き）とNAND型（大容量、データストレージ向き）がある。組込みシステムのファームウェア格納やデータ保存に広く使用される。

読み書き可能な揮発性メモリ。電源を切るとデータが消える。DRAMとSRAMの2種類があり、主記憶装置として使用される。任意のアドレスに直接アクセスできる。

読出し専用の不揮発性メモリ。電源を切ってもデータが保持される。BIOSやファームウェアの格納に使用される。PROM、EPROM、EEPROMなどの種類がある。

コンデンサに電荷を蓄えてデータを記憶する揮発性メモリ。定期的なリフレッシュが必要だが、構造が単純で大容量化しやすい。PCの主記憶装置として広く使用される。SRAMより低速だが安価。

フリップフロップ回路でデータを記憶する揮発性メモリ。リフレッシュが不要で高速だが、構造が複雑で高価。CPUのキャッシュメモリとして使用される。

CPUと主記憶装置の間に配置される高速な記憶装置。頻繁にアクセスされるデータを一時的に保持し、メモリアクセスの高速化を実現する。L1キャッシュ、L2キャッシュなど階層構造を持つ。

レジスタ、キャッシュ、主記憶、補助記憶の順に容量が大きく速度が遅くなる階層構造。速度とコストのトレードオフを最適化するために設計される。局所性の原理を活用して実効アクセス速度を向上させる。