フラッシュメモリ
Flash Memory
ふらっしゅめもり
電気的にデータの読み書きと消去が可能な不揮発性メモリ。USBメモリやSDカード、SSDなどに利用され、小型・軽量・低消費電力という特徴がある。
コンピュータ構成要素 > メモリ
他の資格での定義
FEフラッシュメモリ
電気的にデータの消去・書き込みが可能な不揮発性半導体メモリ。USBメモリ、SDカード、SSDなどに使用される。書き換え回数に上限があるが、機械的な駆動部がなく耐衝撃性に優れる。
APフラッシュメモリ
電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型(大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用)とNOR型(高速読出し、ファームウェア用)がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。
ESフラッシュメモリ
電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリ。NOR型(ランダムアクセス可能、プログラム格納向き)とNAND型(大容量、データストレージ向き)がある。組込みシステムのファームウェア格納やデータ保存に広く使用される。
関連キーワードの用語
IPRAM(Random Access Memory)
データの読み書きが可能な半導体メモリ。主記憶装置として使用され、電源を切るとデータが消える揮発性メモリである。DRAMとSRAMに大別される。
IPROM(Read Only Memory)
読み出し専用の半導体メモリ。電源を切ってもデータが保持される不揮発性メモリであり、BIOSなどの基本的なプログラムの格納に利用される。
IP揮発性メモリ
電源を切るとデータが消失するメモリの総称。RAMが代表例であり、主記憶装置に使用される。高速なアクセスが可能だが、永続的なデータ保存には向かない。
IP不揮発性メモリ
電源を切ってもデータが保持されるメモリの総称。ROMやフラッシュメモリが代表例であり、データの永続的な保存が可能である。
IPDRAM
コンデンサに電荷を蓄えることでデータを記憶するRAMの一種。定期的なリフレッシュが必要だが、大容量化が容易で安価なため、主記憶装置に広く使われる。
IPSRAM
フリップフロップ回路でデータを記憶するRAMの一種。リフレッシュが不要でDRAMより高速だが、回路が複雑で高価なため、キャッシュメモリに使われる。