フラッシュメモリ

電気的にデータの読み書きと消去が可能な不揮発性メモリ。USBメモリやSDカード、SSDなどに利用され、小型・軽量・低消費電力という特徴がある。

電気的にデータの消去・書き込みが可能な不揮発性半導体メモリ。USBメモリ、SDカード、SSDなどに使用される。書き換え回数に上限があるが、機械的な駆動部がなく耐衝撃性に優れる。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

電源を切ってもデータが保持される不揮発性メモリ。マスクROM、PROM、EPROM、EEPROMなどの種類がある。組込みシステムではプログラムコードや固定データの格納に使用される。

データの読み書きが自由に行える揮発性メモリ。DRAM（大容量・低コスト、要リフレッシュ）とSRAM（高速・低消費電力、高コスト）に大別される。組込みシステムではワークメモリやスタック領域として使用される。

フリップフロップ回路でデータを保持する揮発性メモリ。リフレッシュ不要で高速アクセスが可能だが、DRAMに比べてビット単価が高い。キャッシュメモリやマイコンの内蔵RAMに使用される。

CPUとメインメモリの間に配置される高速な小容量メモリ。頻繁にアクセスされるデータやプログラムを保持し、メモリアクセスの高速化を図る。組込みシステムではキャッシュのヒット率やフラッシュ制御がリアルタイム性能に影響する。

プロセッサのアドレス空間におけるメモリやI/Oデバイスの配置を示す図表。ROM、RAM、周辺デバイスのレジスタなどがどのアドレスに割り当てられているかを定義する。組込みシステム設計の基本となる。

電気的にバイト単位でデータの消去・書き換えが可能な不揮発性メモリ。書き換え回数に制限があるが、設定値やキャリブレーションデータなど少量のデータ保存に適する。フラッシュメモリより書き換え単位が小さい。