フラッシュメモリ

電気的にデータの読み書きと消去が可能な不揮発性メモリ。USBメモリやSDカード、SSDなどに利用され、小型・軽量・低消費電力という特徴がある。

電気的にデータの消去・書き込みが可能な不揮発性半導体メモリ。USBメモリ、SDカード、SSDなどに使用される。書き換え回数に上限があるが、機械的な駆動部がなく耐衝撃性に優れる。

電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリ。NOR型（ランダムアクセス可能、プログラム格納向き）とNAND型（大容量、データストレージ向き）がある。組込みシステムのファームウェア格納やデータ保存に広く使用される。

任意のアドレスに対して同じ速度で読み書きできる揮発性メモリ。DRAM（コンデンサに電荷を蓄積、要リフレッシュ、主記憶に使用）とSRAM（フリップフロップで記憶、高速だが高コスト、キャッシュメモリに使用）がある。

読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM（工場で書込み）、PROM（1回だけ書込み可能）、EPROM（紫外線で消去可能）、EEPROM（電気的に消去可能）がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。

CPUと主記憶の速度差を埋めるための高速小容量メモリ。参照の局所性（時間的・空間的局所性）を利用してアクセス頻度の高いデータを保持する。L1、L2、L3の階層構造を持ち、ヒット率が性能を大きく左右する。

キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。

キャッシュにのみ書込みを行い、キャッシュラインが追い出される際に主記憶に書き戻す方式。書込み速度が高速だが、キャッシュと主記憶の不一致が生じるため、ダーティビットで管理する。マルチプロセッサではキャッシュコヒーレンシが課題。

NAND型フラッシュメモリを用いた補助記憶装置。HDDと比較してランダムアクセスが高速で、耐衝撃性が高く消費電力が少ない。書換え回数の上限やデータ保持期間に留意が必要。ウェアレベリングやTRIMで寿命を管理。