ROM
Read Only Memory
ろむ
読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM(工場で書込み)、PROM(1回だけ書込み可能)、EPROM(紫外線で消去可能)、EEPROM(電気的に消去可能)がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。
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他の資格での定義
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過去問での出題
過去問で 35 回出題(エンベデッドシステムスペシャリスト試験 10・応用情報技術者試験 9・基本情報技術者試験 7・ITパスポート試験 6・プロジェクトマネージャ試験 1・システム監査技術者試験 1・高度試験 午前Ⅰ 1)
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- 平成23年度 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 特別試験 午前Ⅱ 問22選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成23年度 プロジェクトマネージャ試験 特別試験 午前Ⅱ 問25(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成22年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問70選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成22年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問26選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成22年度 秋期 高度試験 午前Ⅰ 問27選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成22年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問15(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成21年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問9選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成21年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問12選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
- 平成21年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問10選択肢(IPA の PDF を新しいタブで開きます)
出典: 独立行政法人情報処理推進機構(IPA)の過去問題。問題文は IPA のサイトの PDF で確認できます。「選択肢」は、問題文ではなく選択肢に出たものです。用語名で照合しているため、関係の薄い問題が含まれることがあります。
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任意のアドレスに対して同じ速度で読み書きできる揮発性メモリ。DRAM(コンデンサに電荷を蓄積、要リフレッシュ、主記憶に使用)とSRAM(フリップフロップで記憶、高速だが高コスト、キャッシュメモリに使用)がある。
電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型(大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用)とNOR型(高速読出し、ファームウェア用)がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。
CPUと主記憶の速度差を埋めるための高速小容量メモリ。参照の局所性(時間的・空間的局所性)を利用してアクセス頻度の高いデータを保持する。L1、L2、L3の階層構造を持ち、ヒット率が性能を大きく左右する。
キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。
キャッシュにのみ書込みを行い、キャッシュラインが追い出される際に主記憶に書き戻す方式。書込み速度が高速だが、キャッシュと主記憶の不一致が生じるため、ダーティビットで管理する。マルチプロセッサではキャッシュコヒーレンシが課題。
コンデンサに電荷を蓄えて1ビットを記憶する揮発性メモリ。構造が単純で大容量化・低価格化しやすいが、電荷が抜けるため定期的なリフレッシュが必要。PCの主記憶に用いられる。
