APコンピュータ構成要素 · メモリ

ライトスルー

Write Through

らいとするー

キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。

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Past Exams

過去問での出題

過去問で 9 回出題（応用情報技術者試験 9）。うち 2 回は用語そのものを問う問題です。

出典: 独立行政法人情報処理推進機構（IPA）の過去問題。問題文は IPA のサイトの PDF で確認できます。「用語を問う問題」は、この用語の説明や特徴そのものを問う問題です。「選択肢」は、問題文ではなく選択肢に出たものです。用語名で照合しているため、関係の薄い問題が含まれることがあります。

キャッシュにのみ書込みを行い、キャッシュラインが追い出される際に主記憶に書き戻す方式。書込み速度が高速だが、キャッシュと主記憶の不一致が生じるため、ダーティビットで管理する。マルチプロセッサではキャッシュコヒーレンシが課題。

キャッシュに書き込むと同時に、主記憶やディスクにも必ず書き込む方式。内容が常に一致するため障害時にデータを失いにくいが、書込みのたびに低速な側へのアクセスが発生し性能は落ちる。

任意のアドレスに対して同じ速度で読み書きできる揮発性メモリ。DRAM（コンデンサに電荷を蓄積、要リフレッシュ、主記憶に使用）とSRAM（フリップフロップで記憶、高速だが高コスト、キャッシュメモリに使用）がある。

読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM（工場で書込み）、PROM（1回だけ書込み可能）、EPROM（紫外線で消去可能）、EEPROM（電気的に消去可能）がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

CPUと主記憶の速度差を埋めるための高速小容量メモリ。参照の局所性（時間的・空間的局所性）を利用してアクセス頻度の高いデータを保持する。L1、L2、L3の階層構造を持ち、ヒット率が性能を大きく左右する。