APコンピュータ構成要素 · メモリ

ライトバック

Write Back

らいとばっく

キャッシュにのみ書込みを行い、キャッシュラインが追い出される際に主記憶に書き戻す方式。書込み速度が高速だが、キャッシュと主記憶の不一致が生じるため、ダーティビットで管理する。マルチプロセッサではキャッシュコヒーレンシが課題。

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過去問での出題

過去問で 7 回出題（応用情報技術者試験 7）

出典: 独立行政法人情報処理推進機構（IPA）の過去問題。問題文は IPA のサイトの PDF で確認できます。「選択肢」は、問題文ではなく選択肢に出たものです。用語名で照合しているため、関係の薄い問題が含まれることがあります。

キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。

書込みをいったんキャッシュだけに行い、その領域が追い出されるときにまとめて主記憶やディスクへ反映する方式。書込みが速い反面、反映前に電源が落ちるとデータが失われる危険がある。

任意のアドレスに対して同じ速度で読み書きできる揮発性メモリ。DRAM（コンデンサに電荷を蓄積、要リフレッシュ、主記憶に使用）とSRAM（フリップフロップで記憶、高速だが高コスト、キャッシュメモリに使用）がある。

読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM（工場で書込み）、PROM（1回だけ書込み可能）、EPROM（紫外線で消去可能）、EEPROM（電気的に消去可能）がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

CPUと主記憶の速度差を埋めるための高速小容量メモリ。参照の局所性（時間的・空間的局所性）を利用してアクセス頻度の高いデータを保持する。L1、L2、L3の階層構造を持ち、ヒット率が性能を大きく左右する。