主記憶装置

CPUが直接アクセスしてプログラムやデータを一時的に格納するメモリ。一般にRAM（DRAM）が使われ、補助記憶装置よりも高速だが容量は小さい。メインメモリとも呼ばれる。

CPUが直接読み書きできる記憶装置で、実行中のプログラムやデータを置く。主記憶、メインメモリともいう。一般にDRAMが使われ、補助記憶装置より高速だが容量は小さく、電源を切ると内容が消える。CPUとの速度差を埋めるため、間にキャッシュメモリを置く。

プロセッサが直接読み書きできる記憶装置で、実行中のプログラムやデータを置く。組込みシステムでは、プログラムをフラッシュメモリなどのROMに置き、作業領域としてSRAMやDRAMを使うことが多く、メモリマップで各メモリや入出力装置にアドレスを割り当てる。

CPUと主記憶装置の間に配置される高速な記憶装置。頻繁にアクセスされるデータを一時的に保持し、メモリアクセスの高速化を実現する。L1キャッシュ、L2キャッシュなど階層構造を持つ。

レジスタ、キャッシュ、主記憶、補助記憶の順に容量が大きく速度が遅くなる階層構造。速度とコストのトレードオフを最適化するために設計される。局所性の原理を活用して実効アクセス速度を向上させる。

任意のアドレスに対して同じ速度で読み書きできる揮発性メモリ。DRAM（コンデンサに電荷を蓄積、要リフレッシュ、主記憶に使用）とSRAM（フリップフロップで記憶、高速だが高コスト、キャッシュメモリに使用）がある。

読み出し専用の不揮発性メモリ。マスクROM（工場で書込み）、PROM（1回だけ書込み可能）、EPROM（紫外線で消去可能）、EEPROM（電気的に消去可能）がある。ファームウェアやBIOSの格納に使用される。

電気的に一括消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリ。NAND型（大容量・低コスト、SSDやUSBメモリに使用）とNOR型（高速読出し、ファームウェア用）がある。書換え回数に上限があり、ウェアレベリングで寿命を延長する。

キャッシュへの書込みと同時に主記憶にも書込む方式。データの一貫性が保たれるが、書込み速度が主記憶の速度に制限される。ライトバッファを併用して書込み待ちを軽減することがある。